Транзистор полевой FQA11N90C
Наименование прибора: FQA11N90C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 30 V
пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
Время роста (tr): 130 ns
Выходная емкость (Cd): 215 pf
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 1.1 Ohm
Тип корпуса: TO-3P