IRF640N это n-канальный полевой транзистор, созданный по структуре MOSFET с выводным типом монтажа. Транзистор исполнен в корпусе TO-220АВ.
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, преобразователях и т.д.

Характеристики:

количество чипов в наборе, штук: 10;
модель: IRF640N;
тип корпуса: TO-220АВ;
структура: n-канал;
максимальное напряжение сток-исток: 200 В;
максимальный ток сток-исток: 18 А;
максимальное напряжение затвор-исток: 20 В;
сопротивление канала в открытом состоянии: 0,15 Ом;
максимальная рассеиваемая мощность: 150 Вт;
максимальная температура канала 175 °C.