•
•
•
•
•
•
Транзистор польовий MOSFET IRF830
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | PD |
| Страна производитель | Китай |
| Максимальная мощность рассеивания | 100 Вт |
Дополнительные характеристики
| Максимальная рабочая температура | 150 град. |
Основной
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4.50 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Транзистор польовий (MOSFET), N-канальний
IRF830
Максимальна потужність (Pd): 100 W
Гранично допустима напруга сток-виток|Uds|: 500 V
Гранично допустима напруга затвор-виток|Ugs|: 20 V
Максимально допустимий постійний струм стока |Id|: 4,5 A
Максимальна температура канала (Tj): 150 °C
Опір сток-виток відкритого транзистора (Rds): 1,5 Ohm
Тип корпуса: ТО220
Транзистор польовий MOSFET IRF830
5
(1)
Готово к отправке
70 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, кур'єром по м. Бровари
IBAN UA423220010000026007330164885
Способы доставки
Доставка кур'єром по м. Бровари — бесплатно
Нова Пошта — Бесплатно при условии
Укрпошта — Бесплатно при условии
Meest ПОШТА — от 30 грн
Условия возврата
Уточняйте у продавцаДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат