FSDM0265RN — это интегральная схема, которая сочетает в себе импульсно-широтно-импульсную модуляцию (PWM) и чувствительный полевой транзистор (Sense FET). Она разработана для высокоэффективных блоков питания с переключением (SMPS) с минимальным количеством внешних компонентов.

Основные характеристики FSDM0265RN

Встроенный Sense FET: обладает высокой стойкостью к лавинным перегрузкам, что повышает надежность работы.
Режим Burst-Mode: потребляет всего 0,65 Вт при 240 В переменного тока и 0,3 Вт при нагрузке, что обеспечивает энергоэффективность.
Модуляция частоты: снижает электромагнитные помехи (EMI) за счет изменения частоты работы.
Встроенные защиты: включает ограничение тока импульс за импульсом, защиту от избыточного тока, перенапряжения, перегрузки и перегрева с автоматическим восстановлением.

Технические характеристики

Частота коммутации: примерно 67 кГц.
Максимальное напряжение Drain-Source: 650 В.
Корпус: DIP-8 (8-выводной корпус).

FSDM0265RN подходит для использования в адаптивных блоках питания, контроллерах освещения, зарядных устройствах для аккумуляторов и других приложениях, где требуется высокая эффективность и надежность.