Характеристики и описание
Единица измерения: шт
Производитель: TI
Корпус: SO-8
Напряжение питания Vc, В: ±18 В
Полоса пропускания BW, МГц: 3 МГц
Напряжение смещения Vio, мВ: 10 мВ
Скорость нарастания, В/µs: 13 В/µs
Температурный диапазон: 0...+70°С
Доп. параметры: JFET-вход, кол-во каналов: 1
Кол-во каналов: 1
Монтаж: SMD
Производитель: TI
Корпус: SO-8
Напряжение питания Vc, В: ±18 В
Полоса пропускания BW, МГц: 3 МГц
Напряжение смещения Vio, мВ: 10 мВ
Скорость нарастания, В/µs: 13 В/µs
Температурный диапазон: 0...+70°С
Доп. параметры: JFET-вход, кол-во каналов: 1
Кол-во каналов: 1
Монтаж: SMD
TL071CDR TI
Готово к отправке
16.47 ₴
18.3 ₴
-10%
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
IBAN UA263052990000026009045026054
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупцяДругие товары продавца
125 ₴
139 ₴
-10%
91.5 ₴
102 ₴
-10%
56.12 ₴
62.36 ₴
-10%
51.24 ₴
56.93 ₴
-9%
Смотрите также
Новинки в категории интегральные микросхемы
Любимые товары покупателей
Чат