FQPF2N60C є N-канальним, силовим МОП-транзистором QFET® з режимом збагачення та використання запатентованої та технології DMOS від компанії Fairchild Semiconductor. Ця високотехнологічна технологія МОП-транзистора була спеціально розроблена для зниження опору в активному стані, для забезпечення відмінних характеристик переключеня та високого рівню енергетичної сили лавинного процесу. Він підходить для імпульсних джерел живлення, активної корекції потужностей (PFC) та електронних лампових балластів.

• Низький рівень заряду затвору (8,5нКл)
• Низький рівень Crss 4.3пФ
• Лавинне тестування 100%

Технічні параметри

Максимальна робоча температура +150 ° C
Максимальний безперервний струм стоку 2 А
Тип корпусу TO-220F
Максимальна потужність розсіювання 23 Вт
Тип монтажу Монтаж на плату в отвори
Розміри 10,16 x 4,7 x 9,19 мм
Матеріал транзистора Кремній
Кількість елементів на ІС 1
Конфігурація транзистора Одинарний
Типовий час затримки вмикання 9 нс
Виробник ON Semiconductor
Типовий час затримки вимикання 24 нс
Серія QFET
Мінімальна робоча температура -55 ° C
Мінімальна порогова напруга на затворі 2В
Максимальний опір стік-витік 4,7 Ом
Максимальне напруження стік-витік 600 В
Число контактів 3
Категорія потужний МОП-транзистор
Типовий заряд затвору при Vgs 8,5 нК @ 10 В
Типова вхідна ємність при Vds 180 пФ при 25 В
Максимальна напруга затвор-витік -30 В, +30 В
Час наростання 25 нс
Час спадання 28 нс
Інші назви товару № FQPF2N60C_NL
Канальний режим Покращення
Категорія продукту МОП-транзистор
Кількість каналів 1 канал
Конфігурація Single
Крутизна характеристики прямої передачі - Мін. 5 S
Максимальна робоча температура + 150 С
Мінімальна робоча температура 55 C
Підкатегорія МОП-транзистори
Полярність транзистора N-Channel
Розмір фабричної упаковки 1000
Серія FQPF2N60C
Технологія Si
Тип MOSFET
Тип продукту MOSFET
Тип транзистора N-канал
Торгова марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220FP-3