Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET, -30V, -4.9A, 53mΩ @ VGS  -10V / 80mΩ @ VGS  -4.5V

Корпус	SO8
Структура	2 P
Схема соединения	Независимые
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток	-30 / -30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	±25 / ±25 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C	-4.9 / -4.9 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V	53 / 53 мОм
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=5V	80 / 80 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое)	-1.5 V
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон)	-1 ... -2 V
Мощность рассеяния при 25°C	2 Вт