Описание

це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется переважно для верхней коммутации питания, защиты от переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силовых ключей.

Технические характеристики

• Тип / канал: P-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -100 В
• Максимальный постоянный ток стока (ID): -0,7 А
• Максимальный импульсный ток стока (IDM): -5,6 А (Vishay; старі IR-версії -3 А)
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max 1,2 Ом @ VGS=-10 В
• Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): -2…-4 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 1,3 Вт
• Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+175 °C
• Полный заряд затвора (Qg): max 8,7 нКл
• Корпус: HD-1

Функционал

• Работа в DC-DC преобразователях
• Коммутация электрической нагрузки
• Защита линий питания від переполюсовки
• Верхняя комутація живлення

Распиновка

Корпус HVMDIP / HD-1, 4 виводи. Якщо дивитися зверху згідно стандартної нумерації корпусу: 1. Drain (D, Сток) 2. Gate (G, Затвор) 3. Source (S, Исток) 4. Drain (D, Сток) — электрически соединён з виводом 1. Два вывода Drain є одной электрической точкой.