Основной

Тип транзистора	Биполярный
Тип биполярного транзистора	P-N-P
Материал корпуса	Пластик
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер	35 В
Максимально допустимый ток коллектора	0.10 А
Тип монтажа	Ручной монтаж

Пользовательские характеристики

Страна производитель	срср
Исполнение	Дискретное
Страна происхождения	СССР
Техническое описание	скачать PDF в спецификации

КТ361И
Транзисторы КТ361И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-13.
Климатическое исполнение: УХЛ.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» ФЫ0.336.201ТУ.
Импортный : BC157.

Характеристики транзисторов КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								Т
		IК max	IК. И. max	UКЭR max (UКЭ0 max)	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max	h21Э, (h21э)	UКБ (UКЭ)	IЭ (IК)	UКЭ нас.	IКБО	fгp. (f h21)	КШ	СК	Т
		мА	мА	В	В	В	мВт		В	мА	В	мкА	МГц	дБ	пФ	°С
КТ361А	p-n-p	50	-	25	25	4	150	20...90	10	1	-	1	250	-	9	-60…+100
КТ361Б	p-n-p	50	-	20	20	4	150	50...350	10	1	-	1	250	-	9	-60…+100
КТ361В	p-n-p	50	-	40	40	4	150	40...160	10	1	-	1	250	-	7	-60…+100
КТ361Г	p-n-p	50	-	35	35	4	150	50...350	10	1	-	1	250	-	7	-60…+100
КТ361Д	p-n-p	50	-	40	40	4	150	20...90	10	1	-	1	250	-	7	-60…+100
КТ361Е	p-n-p	50	-	35	35	4	150	50...350	10	1	-	1	250	-	7	-60…+100
КТ361Ж	p-n-p	50	-	10	10	4	150	50...350	10	1	-	1	250	-	9	-60…+100
КТ361И	p-n-p	50	-	15	15	4	150	250	10	1	-	1	250	-	9	-60…+100
КТ361К	p-n-p	50	-	60	60	4	150	50...350	10	1	-	1	250	-	7	-60…+100

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКБ - постоянное напряжение коллектор-база транзистора.
• UКЭ - постоянное напряжение коллектор-эмиттер транзистора.
• IЭ - постоянный ток эмиттера транзистора.
• IК - постоянный ток коллектора транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБ0 - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• fгр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• Т - максимально допустимая температура окружающей среды.