N-Ch 74W; 500V; 4,5A; 1,5Ohm
Описание
IRF830 — высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-220AB, предназначенный для коммутации высоковольтных и высокоскоростных электрических цепей. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и схемах управления электродвигателями.
Технические характеристики
- Тип транзистора: MOSFET
- Тип канала: N-канальный
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 500 В
- Максимальный ток стока (ID): 4,5 А при температуре корпуса 25 °C
- Максимальный ток стока (ID): 2,9 А при температуре корпуса 100 °C
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): 18 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 1,5 Ом при VGS = 10 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 2–4 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 74 Вт
- Корпус: TO-220AB
- Распиновка: пин 1 — затвор (Gate, G); пин 2 — сток (Drain, D); пин 3 — исток (Source, S)
- Металлическая подложка корпуса соединена со стоком (Drain)
Функционал
- Коммутация высоковольтных электрических цепей
- Работа в импульсных источниках питания (SMPS)
- Работа в инверторах
- Работа в DC-DC преобразователях
- Управление электродвигателями