Dual N-Channel MOSFET VDSS=60V RDS(on) max=38mΩ@VGS = 10V ID(25°C)=5A

Корпус	SO8
Структура	2 N
Схема соединения	Независимые
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток	60 / 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	±20 / ±20 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C	5 / 5 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V	38 / 38 мОм
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=5V	42 / 42 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое)	1.5 V
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон)	1 ... 2 V
Мощность рассеяния при 25°C	2 Вт