•
•
•
•
•
•
Транзистор HGTP5N120BND
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
Пользовательские характеристики
| Время восстановления диода (25°С/tmax) | 50 нс (typ) |
| Корпус | TO220 |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 1.2 |
| Макс. ток коллектора (100°C) | 10 А |
| Макс. ток коллектора (25°C) | 21 А |
| Мощность рассеяния при 25°C | 167 Вт |
| Напряжение затвор - эмиттер | 20 V |
| Стандартная упаковка | 50 шт |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема соединения | Одиночный |
| Тип упаковки | Туба |
21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Характеристики
Характеристики
| Корпус | TO220 |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема соединения | Одиночный |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 1.2 kV |
| Напряжение затвор - эмиттер | 20 V |
| Макс. ток коллектора (25°C) | 21 А |
| Макс. ток коллектора (100°C) | 10 А |
| Время восстановления диода (25°С/tmax) | 50 нс (typ) |
| Мощность рассеяния при 25°C | 167 Вт |
| Тип упаковки | Туба |
| Стандартная упаковка | 50 шт |
Транзистор HGTP5N120BND
Готово к отправке
211 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за домовленістюДругие товары продавца
33.21 ₴
84.7 ₴
49.82 ₴
15.23 ₴
47.05 ₴
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат