•
•
•
•
•
•
IGBT-модуль Semikron SKiiP 35NAB12T4V1 50 А 1200 В
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | Semikron |
Пользовательские характеристики
| Диапазон рабочих температур | -40 - +150 °C |
| Количество ключей | 7 |
| Макс. температура перехода | +175 °C |
| Номинальный ток коллектора | 50 А |
| Обратное напряжение | 1200 В |
| Размеры корпуса | 58,5x51,5x15,8 |
| Темература хранения | -40 - +125 °C |
| Технология | IGBT 4 |
| Тип корпуса | MiniSKIIP 2 |
| Тип модуля | IGBT модуль |
| Топология | 3-фазный мост IGBT |
IGBT-модуль Semikron SKiiP 35NAB12T4V1 50 А 1200 В
IGBT-модуль Semikron SKiiP 35NAB12T4V1 50 А 1200 В — силовой полупроводниковый модуль для управляемой коммутации в преобразовательной технике.
В исходных технических данных указаны: указанный ток 50 А, класс напряжения 1200 В, схема 3-фазный мост IGBT.
Технические характеристики- Производитель: Semikron
- Модель: SKiiP 35NAB12T4V1
- Тип: IGBT-модуль
- Номинальный ток: 50 А
- Класс напряжения / указанное напряжение: 1200 В
- Топология: 3-фазный мост IGBT
- Количество ключей: 7
- Технология: IGBT 4
- Корпус: MiniSKIIP 2
- Размеры корпуса: 58,5x51,5x15,8
- Диапазон рабочих температур: -40 - +150 °C
- Температура хранения: -40 - +125 °C
- Максимальная температура перехода: +175 °C
Модуль применяют в частотных преобразователях, инверторах, приводной электронике, системах управления электродвигателями и преобразователях мощности.
Особенности подбора и монтажаПеред установкой проверьте выводы, способ крепления, электрическую схему, совместимость драйвера и радиатора по паспорту модели. При подборе учитывайте режим коммутации, охлаждение и предельные параметры полупроводника.
IGBT-модуль Semikron SKiiP 35NAB12T4V1 50 А 1200 В
В наличии
22 881 ₴
Способы оплаты
Нова Пошта
IBAN UA333052990000026009010130760
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за домовленістюДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Чат