КТ209В
Транзисторы КТ209В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы имеют два варианта маркировки:
Вариант 1 - на корпус наносится буква: КТ209А - А, КТ209Б - Б, КТ209Б1 - Б1, КТ209В - В, КТ209В1 - В1, КТ209В2 - В2, КТ209Г - Г, КТ209Д - Д, КТ209Е - Е КТ209Ж - Ж, КТ209И - И, КТ209К - К, КТ209Л - Л, КТ209М - М.
Вариант 2 - на боковую поверхность корпуса наносится метка серого цвета и на торце метка: КТ209А - темно-красная, КТ209Б - желтая, КТ209В - темно-зеленая, КТ209Г - голубая, КТ209Д - синяя, КТ209Е - белая, КТ209Ж - коричневая, КТ209И - серебристая, КТ209К - оранжевая, КТ209Л - светло-табачная, КТ209М - серая.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» аА0.336.065ТУ/02.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный : MPS404, 2SA642.

Технические характеристики транзисторов КТ209:
| Тип транзистора |
Структура |
Предельные значения параметров при Тп=25°С |
Значения параметров при Тп=25°С |
| IК. макс. |
IК. и. макс. |
UКБО макс. |
UКЭR макс. |
UЭБО макс. |
РК. макс. |
h21Э |
UКБ |
IЭ |
UКЭ нас. |
IКБО |
fгp. |
| мА |
мА |
В |
В |
В |
мВт |
|
В |
мА |
В |
мкА |
МГц |
| КТ209А |
p-n-p |
300 |
500 |
15 |
15 |
10 |
200 |
20...60 |
1 |
30 |
0,4 |
- |
5 |
| КТ209Б |
p-n-p |
300 |
500 |
15 |
15 |
10 |
200 |
40…120 |
1 |
30 |
0,4 |
- |
5 |
| КТ209В |
p-n-p |
300 |
500 |
15 |
15 |
10 |
200 |
80...240 |
1 |
30 |
0,4 |
- |
5 |
| КТ209Г |
p-n-p |
300 |
500 |
30 |
30 |
10 |
200 |
20...60 |
1 |
30 |
0,4 |
- |
5 |
| КТ209Д |
p-n-p |
300 |
500 |
30 |
30 |
10 |
200 |
40…120 |
1 |
30 |
0,4 |
- |
5 |
| КТ209Е |
p-n-p |
300 |
500 |
30 |
30 |
10 |
200 |
80...240 |
1 |
30 |
0,4 |
- |
5 |
| КТ209Ж |
p-n-p |
300 |
500 |
45 |
45 |
20 |
200 |
20...60 |
1 |
30 |
0,4 |
- |
5 |
| КТ209И |
p-n-p |
300 |
500 |
45 |
45 |
20 |
200 |
40…120 |
1 |
30 |
0,4 |
- |
5 |
| КТ209К |
p-n-p |
300 |
500 |
45 |
45 |
20 |
200 |
80…160 |
1 |
30 |
0,4 |
- |
5 |
| КТ209Л |
p-n-p |
300 |
500 |
60 |
60 |
20 |
200 |
20...60 |
1 |
30 |
0,4 |
- |
5 |
| КТ209М |
p-n-p |
300 |
500 |
60 |
60 |
20 |
200 |
40…120 |
1 |
30 |
0,4 |
- |
5 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• Uкбо макс - максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
• UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
• Uкэомакс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
• Uэбомакс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• Рк. и. макс - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• Uкб - напряжение коллектор-база транзистора.
• Uкэ - напряжение коллектор-эмиттер транзистора.
• Iэ - ток эмиттера транзистора.
• Iк - постоянный ток коллектора транзистора.
• Uкэ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IкэR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер. Ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• fгр- граничная частота коэффициента передачи тока.
• fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
