Количество каналов на ИС: 1.
Максимальная рабочая температура: +85 °C.
Минимальная рабочая температура: -40 °C.
Длина: 4.9 мм.
Ширина: 3.9 мм.
Напряжение питания - макс.    5.5 V
Напряжение питания - мин.    2.7 V
Типичная скорость нарастания: 2.3В/мкс.
Типичное усиление по напряжению: 115 дБ.
Производитель: Microchip
Тип корпуса: SOIC.
Тип монтажа: SMD.
Типичная интенсивность шумов входного напряжения: 29нВ/√Гц.
Число контактов: 8
Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания: 2.8МГц
CMRR - Коэффициент подавления синфазного сигнала: 75 dB
en - Интенсивность шума входного напряжения: 29 nV/sqrt Hz.
GBP - Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 2.8 MHz
Ib - Входной ток смещения: 60 pA
In - плотность тока шума на входе: 0.0006 pA/sqrt Hz
PSRR - Коэффициент подавления помех по питанию: 80 dB
SR - скорость нарастания выходного напряжения: 2.3 V/us
Vos - Входное напряжение смещения нуля: 2 mV
Выходной ток на канал: 22 mA
Отключение    No Shutdown
Технология    CMOS
Тип усилителя    Low Power Amplifier
Торговая марка    Microchip Technology

Цена указана за 1 шт.

#6020