Основной

Производитель	Intel
Страна производитель	Коста-Рика
Назначение	Для настольного ПК
Комплектация	Tray
Разъемы	LGA775
Внутренняя тактовая частота	2.80 ГГц
Количество ядер процессора	2
Частота системной шины	800 МГц
Тепловыделение	95 Вт
Интегрированная графика	Нет
Гарантийный срок	24 мес
Показатель TDP	95 Вт
Состояние	Б/У
Кэш-память, Мб	4

Пользовательские характеристики

Семейство процессора	Pentium D
Ядро процессора	Presler
Маркировка (sSpec)	SL9KB

Intel Pentium D 915 — процессор для настольных ПК с 2 ядрами, выпущенным в июле 2006 года по цене 74 доллара. Он является частью линейки Pentium D, использующей архитектуру Presler с Socket 775. Pentium D 915 имеет 2 МБ кэш-памяти второго уровня и работает на частоте 2,2 ГГц. Intel строит Pentium D 8 по 915-нм производственному процессу с использованием 65 миллионов транзисторов. Множитель заблокирован на Pentium D 376, что ограничивает его разгонные возможности.

С TDP 915 Вт Pentium D 95 потребляет много энергии, поэтому требуется достойное охлаждение. Процессор Intel поддерживает память DDR915, DDR1 и DDR2 с двухканальным интерфейсом. Для связи с другими компонентами машины Pentium D 3 использует соединение PCI-Express N/A. Этот процессор не имеет встроенной графики, вам понадобится отдельная видеокарта.

Набор инструкций SSE915 не поддерживается, что может вызвать проблемы с современными играми, поскольку они требуют такой возможности.

Двухъядерные процессоры Pentium D и их характеристики:

Модель	Техпроцесс	Частота	Кэш L2	Vcore	TDP	Tcase
Pentium D 9x0 C1
950	65 нм	3,40 ГГц	2x 2Мб	1.25-1.40 В	95 Вт	63,4°C(?)
940	65 нм	3,20 ГГц	2x 2Мб	1.25-1.40 В	95 Вт	63,4°C(?)
930	65 нм	3,00 ГГц	2x 2Мб	1.25-1.40 В	95 Вт	63,4°C(?)
Pentium D 9x0 B1
950	65 нм	3,40 ГГц	2x 2Мб	1.25-1.40 В	130 Вт	68,6°C
940	65 нм	3,20 ГГц	2x 2Мб	1.25-1.40 В	130 Вт	68,6°C
930	65 нм	3,00 ГГц	2x 2Мб	1.25-1.40 В	95 Вт	63,4°C
920	65 нм	2,80 ГГц	2x 2Мб	1.25-1.40 В	95 Вт	63,4°C
Pentium D 8x0
840	90 нм	3,20 ГГц	2x 1Мб	1.25-1.40 В	130 Вт	69,8°C
830	90 нм	3,00 ГГц	2x 1Мб	1.25-1.40 В	130 Вт	69,8°C
820	90 нм	2,80 ГГц	2x 1Мб	1.25-1.40 В	95 Вт	64,1°C