Конфигурация    half-bridge
Тип канала    независимый
Кол-во каналов    2
Тип управляемого затвора    IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В    3.3…20
Логическое напряжение (VIL), В    6
Логическое напряжение (VIH), В    9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А    2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А    2
Тип входа    неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В    600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс    25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс    17
Рабочая температура, °C    -40…+150 (TJ)
Корпус    soic-16 (0.295 inch)
Вес, г    1