Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A.

В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усовершенствованная технология PowerTrench для низкого напряжения. Он был оптимизирован для управления питанием от батареи.

Технические характеристики

Тип транзистора:P-MOSFET

Технология:PowerTrench®

Поляризация:униполярная

Напряжение сток-исток:12В

Ток стока:6,7А

Рассеиваемая мощность:52 Вт

Корпус:ТО252

Напряжение затвор-исток:± 8 В

Сопротивление в открытом состоянии:90 мОм

Монта6 SMD

Заряд затвора:21 нКл