наш сайт smartenergy.net.ua там дешевле___

английская прошывка EN

Тестер радиоэлементов с графическим дисплеем
Измеритель ESR + LCR метр + тестер полупроводников. Тестер автоматически определяет транзисторы, диоды, тиристоры, резисторы и конденсаторы, определяет номера и типы выводов. 

Параметры:

время теста: 1- 2 сек.
диапазоны измерений:
сопротивление: 0,5 Ω - 50M Ω
индуктивность: 0.01MH - 10H
ёмкость конденсатора: 30 пФ - 20000uF
рабочее напряжение: крона 9В или DC 5.5 - 12В
 

Комплект поставки:

1х - Тестер транзисторов LCR-T4 ESR

Особенности
-Жидкокристаллический дисплей 128х64 с зеленой подсветкой.
-Автоматическая идентификация радиоэлектронных компонентов (резистор, конденсатор, катушка индуктивности, диод, двойной диод, биполярный NPN, PNP транзистор, N- канальный и Р- канальный MOS FET, JFET транзистор, маломощный тиристор, симистор.
-Измерение сопротивления, емкости, индуктивности, прямого напряжения перехода в диодах и биполярных транзисторах, емкости и порогового напряжения затвора в полевых транзисторах, обнаружение защитных диодов в транзисторах.
-Поставляется без корпуса (КІТ).
-Питание 9V от   батареи типа Крона (не входит в комплект поставки).

*   Разряжайте конденсаторы до тестирования!
    
Технические характеристики тестера полупроводников и измерителя RLC, ESR.

1. Тест полупроводников, конденсаторов, резисторов, индуктивностей производится за одну операцию – нажатием кнопки.   Автоматическое выключение после теста.
2. Потребляемый ток после отключения не более 20nA .
3. Диапазон измерения резисторов составляет от 0,1 Ом до 50M Ом с точностью 1%.
4. Диапазон измерения емкости составляет от   25рF до 100mF и точностью 1%.
5.   Диапазон измерения индутивности составляет от 0,01mН до 20H и точностью 1%.
6. Автоматическое определение NPN, PNP биполярных транзисторов , N -канальных и Р- канальных MOS FET, JFET транзисторов , диодов, двойных диодов, тиристоров небольшой мощности, однонаправленных и двунаправленных тиристоров.
7. Автоматическое определение цоколевки полупроводников.
8. Измерение в биполярных транзисторах   коэффициента усиления и порогового напряжения   база – эмиттер.
9. Обнаружение защитных диодов в биполярных и MOS FET транзисторах.
10. Идентификация транзисторов Дарлингтона.
11. Измерение порогового напряжения и емкости затвора в MOS FET транзисторах.
12. Измерение ESR конденсатора с разрешением 0,01 Ом.
13. Измерение двойных резисторов (потенциометров)   с отображение на дисплее символов резистора.
14. Отображение символов двойных диодов с измерением прямого напряжение каждого перехода.
15. Определение комбинированных светодиодов.
16. Определение напряжения пробоя в стабилитронах с напряжением   не более 4.5V.