Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) FGL60N100BNTD (N-канальный)
Краткое описание:
FGL60N100 – это высокопроизводительный IGBT-транзистор с NPT-Trench структурой, разработанный для требующих применений высокого напряжения, значительного тока и быстрого переключения. Предназначен для жесткого переключения в импульсных источниках питания и промышленном оборудовании. Имеет встроенный диод быстрого восстановления (Fast Recovery Diode).
Ключевые особенности:
Высокая скорость переключения: Оптимален для высокочастотных преобразователей.
Низкое напряжение насыщения (VCE(sat)): Обеспечивает минимальные потери мощности при работе.
Встроенный диод быстрого восстановления: Упрощает схему и улучшает работу в индуктивных нагрузках.
Высокий входной импеданс: Облегчает управление затвором.
Технические характеристики
Параметр
Обозначение
Значение (типовое)
Единица измерения
Тип транзистора
IGBT, N-канальный
Макс. напряжение коллектор-эмитер
VCES
1000
В
Макс. постоянный ток коллектора
IC (при 25∘C)
60
А
Макс. импульсный ток коллектора
ICM
120
А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер
VCE(sat) (при IC=60 A)
2.5
В
Макс. мощность рассеивания
PD (при 25∘C)
180
Вт
Время задержки отключения
td(off)
630
нс
Диапазон рабочих температур
TJ
−55 до +150
∘C
Тип корпуса
TO-264-3 / TO-3P
Применение
Транзистор FGL60N100 является идеальным выбором для силовой электроники, включая:
Сварочные аппараты (инверторные сварки).
Источники бесперебойного питания (UPS).
Высоковольтные инверторы и преобразователи частоты.