Основной

Страна производитель	Китай
Тип транзистора	Биполярный
Тип монтажа	Вставной
Производитель	SAT

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) FGL60N100BNTD (N-канальный)

Краткое описание:

FGL60N100 – это высокопроизводительный IGBT-транзистор с NPT-Trench структурой, разработанный для требующих применений высокого напряжения, значительного тока и быстрого переключения. Предназначен для жесткого переключения в импульсных источниках питания и промышленном оборудовании. Имеет встроенный диод быстрого восстановления (Fast Recovery Diode).

Ключевые особенности:

Высокая скорость переключения: Оптимален для высокочастотных преобразователей.
Низкое напряжение насыщения (VCE(sat)): Обеспечивает минимальные потери мощности при работе.
Встроенный диод быстрого восстановления: Упрощает схему и улучшает работу в индуктивных нагрузках.
Высокий входной импеданс: Облегчает управление затвором.

Технические характеристики

Параметр	Обозначение	Значение (типовое)	Единица измерения
Тип транзистора		IGBT, N-канальный
Макс. напряжение коллектор-эмитер	VCES	1000	В
Макс. постоянный ток коллектора	IC (при 25∘C)	60	А
Макс. импульсный ток коллектора	ICM	120	А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер	VCE(sat) (при IC=60 A)	2.5	В
Макс. мощность рассеивания	PD (при 25∘C)	180	Вт
Время задержки отключения	td(off)	630	нс
Диапазон рабочих температур	TJ	−55 до +150	∘C
Тип корпуса		TO-264-3 / TO-3P

Применение

Транзистор FGL60N100 является идеальным выбором для силовой электроники, включая:

Сварочные аппараты (инверторные сварки).
Источники бесперебойного питания (UPS).
Высоковольтные инверторы и преобразователи частоты.
Промышленные источники питания.
Индукционные нагреватели (IH).