promo_download_app_ios_2025
Нажмите найти для поиска
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT, максимальное напряжение 300 В, ток 200 А
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT, максимальное напряжение 300 В, ток 200 А
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT, максимальное напряжение 300 В, ток 200 А
Характеристики и описание

Пользовательские характеристики

Гарантийный срок30 дней
Количество в наборе1 шт
КорпусTO-263-2
Маркировка30F131 / GT30F131
Мощность140 Вт
Рабочее напряжениедо 300 В (макс. коллектор-эмиттер)
СостояниеНовый товар (как в наличии)
Страна-Производитель ТовараКитай
Тип компонентаТранзистор IGBT
Токдо 200 А (макс. коллектор-эмиттер)
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT

Чип 30F131 GT30F131 – это высококачественный биполярный транзистор с изолированным затвором, который предназначен для применения в плазменных панелях. Благодаря своей надежности и высокой мощности, данный транзистор стал выбором многих специалистов в области электроники. Удобный корпус TO-263-2 обеспечивает простоту установки и эксплуатации.

Ключевые возможности
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
  • Максимальный ток коллектор-эмиттер: 200 А
  • Напряжение насыщения при номинальном токе: 1.9 В
  • Мощность: 140 Вт
  • Идеально подходит для плазменных панелей
Технические характеристики
  • Гарантийный срок: 30 дней
  • Страна-Производитель: Китай

Чип 30F131 отлично подойдет для использования в различных проектировках, связанных с плазменными устройствами. Например, вы можете его использовать для создания высококачественной плазменной панели, которая будет иметь высокую производительность и долговечность. Также его мощные характеристики позволяют применять этот транзистор в других высоконагруженных электронных схемах.

Покупая транзистор 30F131 в нашем интернет-магазине, вы можете быть уверены в качестве и надежности продукции. Мы предлагаем быструю доставку и гарантию на товар, а также положительные отзывы от наших клиентов подтверждают высокую репутацию нашей компании.

Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT```

Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT, максимальное напряжение 300 В, ток 200 А

Готово к отправке
Код: 7000002376
12 
Способы оплаты
Безопасная оплата
  • Как наложенный платеж, только без переплат
  • Вернем деньги, если что-то пойдет не так
  • Bigl гарантирует безопасность
Наложенный платеж
Нова Пошта
Оплата на счет
IBAN UA433220010000026006370016187
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за домовленістю
Чат