Параметри лампи: Лампи світлодіодні призначені для фар будь-яких конфігурацій усіх марок автомобілів. Лампи забезпечують доволі яскраве світіння, стійкі до перепадів температур і мають тривалий термін експлуатації 30000 годин. Однією з важливих переваг світлодіодних ламп — це низьке виділення тепла під час світіння, а це означає, що воно не впливає на блок-фару, зберігаючи її характеристики на триваліший термін. (не псується відбивач, не тьмяніє скло). З розвитком технологій виготовлення світлодіодних елементів яскравість світіння автомобільних ламп підвищила яскравість галогенних ламп, навіть за температурними параметрами та часом розпалювання, а також терміну експлуатації залишилися далеко позаду ксенонові лампи. З перерахованих вище переваг можна зробити висновок, що світлодіодні автомобільні лами — це найкращий вибір для Вашого автомобіля. Автомобільні світлодіодні лампи (LED Headligt) — це, мабуть, найкращий вибір серед бюджетних варіантів світлодіодних ламп для Вашого автомобіля. Ці лампи не тільки вигідно відрізняються від конкурентних, але й мають досить якісну технічну базу. У конструкцію входять якісні та яскраві діоди, тихий і надійний вентилятор охолодження. Для зручнішого встановлення блок запобігання перепадам захований у конструкцію лампи. Основною перевагою цих ламп є те, що в конструкції модернізована для того, щоб вони підходили для всіх типів фар, які не мають лінз для заломлення світла УВАГА! Під час встановлення зверніть увагу на роз'єм, вказаний полярність. Дуже важливо її властивості. Основною перевагою цих ламп є те, що в конструкції модернізована для того, щоб вони підходили для всіх типів фар, які не мають лінз для заломлення світла Розмір патрона: H4 Потужність 36 W Колірна температура: 6000К Гарантія: 3 місяці. ( гарантія здійснюється на будь-які внутрішні поломки тільки за цілісності оболонки ламп) Опис і принцип роботи світлодіодної лампи. Підвищенню енергоефективності в усьому світі зараз приділяється багато уваги. Енергоефективність є одним із ключових аспектів будь-якої економної діяльності. Вимоги до її підвищення встановлюються навіть законодавством багатьма країнами для збереження ресурсів. Світлодіодне освітлення набагато ефективніше, порівнюючи з традиційними джерелами світла, його впровадження є пріоритетним напрямом розвитку. Поява нового ринку — ринку світлодіодних пристроїв для освітлювальних цілей, стала можливим завдяки істотному прогресу у світлодіодних і супутніх ним технологіях. 2007 року ефективність потужних світлодіодів і світловипромінювальних елементів світильників досягла порівнянних значень з ефективністю інших наявних енергоефективних джерел білого світла, у наступні роки вона перевищила цей показник (див. рис. 1). Успіхи в створенні джерел живлення для світлодіодного освітлення з ефективністю 90% і більше, забезпеченні теплового режиму, виробництва ефективних оптичних систем послугували створенням нових високотехнологічних джерел світла та формування ринку світлодіодного освітлення. Рис. 1. Динаміка зростання ефективності джерел білого світла. Варто зазначити також успішний розвиток технологій виробництва напівпровідникових компонентів і пристроїв, що призводить до скорочення енергоспоживання та збільшення продуктивності як самих пристроїв, так і виробів, створених на їхній основі. Технології напівпровідникових з'єднань і пристроїв будуть ключовою технологією, що розвивається, для використання в бездротових мережах, а також для цілої низки цивільних і збройних застосувань. Светодиод. Призначення та властивості основних елементів світлодіодів. Світлодіод — напівпровідникове джерело некогерентного оптичного випромінювання, принцип дії якого ґрунтується на випромінюванні електролюмінесценції під час інжекції неосновних носіїв заряду через гомо- або гетеро-p-n перехід [1]. Зараз виробляються світлодіоди видимого, ультрафіолетового та інфрачервоного діапазонів. Світлодіод складається з напівпровідникового світловипромінювального чипа, корпусу, дротяних виводів, що з'єднують електричний світлодіодний чип і електричне розведення корпусу, матеріалу-фіксатора чипа вкорпусі — клею або адгезиву, або матеріалу припоя в разі використання flip-чипів, оптичного полімеру або компаунда. Конструкція потужних світлодіодів (мал. 2) додатково містить діод, що захищає світлодіод від електростатичного розряду. Світлодіодний чип. Основу будь-якого світлодіода становить світлодіодний чип. У літературі використовують і слово «кристал», проте воно не відбиває всієї технологічної складності виготовлення внутрішньої структури світлодіодного чипа. Першим етапом створення світлодіодного чипа є пошарове вирощування певної напівпровідникової гетероструктури на вибраному матеріалі підкладки. Склад і фізичні властивості гетероструктури визначають довжину хвилі випромінювання світлодіодного чипа. Основними матеріалами, з яких виготовляються світлодіодні чипи, є сполуки GaN, AlN, InN, GaAs, GaP і їх тверді розчини [2]. Фізична якість гетероструктури, наявність або відсутність внутрішніх дефектів і домішок докорінно визначають ефективність світлодіодного чипа та термін його експлуатації. Наприклад, компанія «Оптоган» має оригінальні запатентовані епітаксіальні технології, що дають змогу вирощувати структури InGaAlN на сапфірових підкладках з особливо низькою кількістю парових дефектів (дислокацій). Завдяки низькій концентрації дислокацій чипи, вироблені компанією «Оптоган», не схильні до прискореної деградації за високих струмів і температур, що збільшує час життя світлодіодів. Однак якісно вирощена епітаксиальна структура ще не означає отримання якісного й ефективного світлодіодного чипа. Винятково важливими є наступні технологічні кроки, що дають змогу створити з напівпровідникової пластини готові до поставлення в корпус світлодіодні чипи, формування виводів, нанесення захисного оптичного покриття, тобто проведення так званого процесу «паковання». На цьому виробничому етапі, що називається «формуванням чипів», пластини з вирощеними на них гетероструктурами проходять кілька циклів фотолітиографії, хімічного травлення, нанесення захисних і буферних шарів і електричних контактів. Стабільність і технологічна чистота кожного з зазначених процесів визначають не тільки якість готового чипа, а й його ціну. Саме тому виробники постійно вдосконалюють кожен з окремих процесів, доводячи їх до оптимального рівня. Сформовані чипи проходять візуальний контроль, визначаються їх оптичні та електричні характеристики (мал.). Потім пластина з чипами розділяється на окремі чипи за допомогою механічного або лазерного різання. Після цього чипи знову тестуються, сортуються і надходять для кінцевого монтажу чипа в корпус світлодіода. Рис 3. Тестування оптичних і електричних характеристик світлодіодних чипів на пластині, що ще не розділене на окремі чипи У процесі монтажу світлодіодний чип з'єднується з зовнішніми контактами корпусу світлодіода та покривається оптичним полімером, найчастіше силіконом. Якість з'єднання чипа з зовнішніми контактами корпусу визначає не тільки здатність світлодіода безвідмовно працювати у разі заявлених електричних параметрів, але й визначає ступінь і якість відведення тепла з активної зони світлодіодного чипа, що впливає на довговічність світлодіода. Оптичний полімер не тільки захищає поверхню чипа від механічного впливу, але також сприяє збільшенню виведення випромінювання з чипа. Безпосередньо в оптичному полімері може бути розчинений люмінофор, спектр поглинання якого припадає на спектр випромінювання чипа. У цьому разі спектр випромінювання світлодіода буде дорівнює сумі спектра випромінювання чипа та спектру перевипромінювання люмінофора. Основне призначення світлодіодних чипів полягає в тому, щоб випромінювати світло. Однак у процесі роботи пристрою частина електричної енергії, що надходить, втрачається, переходячи в тепло. Надмірне нагрівання світлодіодного чипа призводить до зміни його характеристик, зниження терміну експлуатації й навіть до виходу з ладу. Завдання дослідників і розробників полягає в тому, щоб знизити кількість теплових втрат. Цього можна досягти різними шляхами, зокрема завдяки зменшенню кількості та товщині шарів використовуваних матеріалів у світлодіодному чипі, поліпшенню епітаксиальної якості гетероструктури чипа, створення структури, що забезпечує рівномірне розтікання струму та багатьма іншими способами [4-6].