RF-модуль підсилення 700–810 MHz на базі GaN-технології потужністю до 50 W (47 dBm)  - це високопродуктивний радіочастотний підсилювач для роботи з RF-сигналами у діапазоні 700–810 MHz. Використання галій-нітридних транзисторів забезпечує високу енергоефективність, стабільні вихідні параметри та мінімальні втрати при тривалій роботі.

Модуль підходить для інтеграції у професійні RF-системи, інженерні рішення, лабораторні та тестові стенди, а також спеціалізоване телекомунікаційне обладнання.

• Діапазон частот: 700-810 МГц
• Робоча напруга: 28 В
• Вихідна потужність: 47 dBm
• Ефективність роботи: 60%
• Струм споживання: ≤3,5A
• Коефіцієнт стоячої хвилі (VSWR): ≤1,30
• Діапазон температур: -40°C до +55°C
• Роз'єм: SMA
• Розмір: Компактний корпус для зручного монтажу

• Висока енергоефективність - GaN-технологія забезпечує стабільну роботу з мінімальними енергетичними втратами.
• Вихідна потужність до 50 W (47 dBm) - достатній запас продуктивності у заданому частотному діапазоні.
• Стабільні параметри - надійна робота у професійних RF-застосуваннях.
• Широкі можливості використання - придатний для телекомунікаційних, інженерних та вимірювальних систем.
• Компактне виконання - зручна інтеграція у різні RF-рішення.