RF-модуль підсилення 650–750 MHz на базі GaN-технології потужністю 50 W (47 dBm) - це високоефективний радіочастотний підсилювач для роботи з RF-сигналами у діапазоні 650–750 MHz. Використання GaN-технології забезпечує високу енергоефективність, стабільні вихідні параметри та мінімальні втрати при тривалій роботі.

Компактна конструкція та стандартний роз’єм SMA спрощують інтеграцію модуля у професійні RF-системи, інженерні рішення, лабораторні та тестові стенди.

• Діапазон частот: 650-750 MHz
• Робоча напруга: 28 V
• Вихідна потужність: 47 dBm
• Ефективність роботи: 60%
• Струм споживання: ≤3,5A
• Коефіцієнт стоячої хвилі (VSWR): ≤1,30
• Діапазон температур: -40°C до +55°C
• Роз'єм: SMA
• Розмір: Компактний дизайн для зручного монтажу

• Висока енергоефективність - GaN-технологія забезпечує стабільну роботу з низькими енергетичними втратами.
• Стабільна вихідна потужність до 50 W (47 dBm) - надійна робота у заданому частотному діапазоні.
• Широкі можливості застосування - придатний для професійних RF-систем, вимірювального та тестового обладнання.
• Компактні габарити - зручна інтеграція у різні RF-рішення.
• Надійне підключення - стандартний SMA-роз’єм для сумісності з антенами та RF-компонентами.