RF-модуль підсилення 433 MHz (415–485 MHz), GaN 50 W (47 dBm), SMA - високоефективний радіочастотний підсилювач для роботи з RF-сигналами у піддіапазоні 433 MHz. Завдяки застосуванню GaN-технології модуль забезпечує стабільні параметри підсилення, високу енергоефективність та надійну роботу при тривалих навантаженнях. Компактне виконання та стандартний SMA-роз’єм спрощують інтеграцію у професійні RF-системи та вимірювальне обладнання.

• Діапазон частоти: 415-485 MHz
• Максимальна потужність: 50W (47 dBm)
• Робоча напруга: 30 V (24-32 V)
• Технологія: GaN (Галій-Нітрид)
• Роз'єм: SMA
• Робоча ефективність: ≥ 60 %
• Випробування при високих/низьких температурах:
• • Робоча температура: −10 … +55 °C
    Примітка: Може запускатися при низьких температурах
  • Стабільність підсилення (Gain stability): ±1.5 dB при −40 °C … +55 °C
  • Стабільність потужності (Power stability): ±1.5 dB при −40 °C … +55 °C
• Вимоги до джерела живлення: ≥ 3.7 A
• Габаритні розміри: 37.3 × 112 × 19.5 мм (без урахування SMA)
• Вага: 136 г

• Вихідна потужність до 50 W (47 dBm) - стабільна робота у заданому частотному діапазоні.
• Високий коефіцієнт підсилення - ефективна обробка RF-сигналів.
• GaN-технологія - підвищений ККД, зменшене тепловиділення та тривалий ресурс експлуатації.
• Компактні габарити - зручна інтеграція у різні RF- та інженерні рішення.
• Надійне підключення - стандартний SMA-роз’єм для сумісності з антенами та RF-компонентами.