•
•
•
•
•
•
IXFH26N50 MOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 500 V, 200 mohm
Товар недоступний - перегляньте схожі товари
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | IXYS |
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 300W (Tc) |
| Місткість затвора | 4200 pF @ 25 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 10V |
| Заряд затвора | 160 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 500 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 26 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 4V @ 4mA |
| Опір каналу у відкритому стані | 200mOhm @ 13A, 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-247 |
IXFH26N50 Транзистор польовий MOSFET
MOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 500 V, 200 mohm
IXFH26N50 MOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 500 V, 200 mohm
Недоступний
1 575 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяДивіться також
Новинки в категорії кабель для систем зв'язку
Улюблені товари покупців
Чат