Високопотужний широкосмуговий RF‑модуль на GaN транзисторах для підсилення сигналів у діапазоні 400-700 МГц до рівня 100 Вт. Джамер виконаний у міцному алюмінієвому корпусі з екрануванням та призначений для інтеграції у 50‑омні РЕБ системи/

Ключові особливості: 400-700 МГц; до 100 Вт; GaN технологія; вихід N‑Type 50 Ω; кондукційне охолодження (потрібен радіатор/теплоплита); робота лише на узгоджене 50‑омне навантаження. Типові для 100‑Вт модулів вимоги — контроль тепла та обмеження вхідної розкачки (кілька dBm)

• ⚡ 100 Вт стабільної потужності у діапазоні 400–700 МГц
• 🔥 GaN технологія — висока ефективність та мінімальні теплові втрати
• 🛡 Захист від перегріву для безпечної експлуатації
• 📡 Стандартний RF-інтерфейс 50 Ом
• 🔌 Живлення 28 В — зручна інтеграція у системи
• 🧩 Компактні габарити 30×80×157 мм

GaN транзистори забезпечують високу щільність потужності, зменшені теплові втрати та стабільну роботу у широкому діапазоні частот. У порівнянні з традиційними рішеннями, модуль має кращу енергоефективність та компактні габарити при збереженні високої вихідної потужності. Ключова особливість GaN‑технології — висока питома потужність і здатність до широкосмугового узгодження при хорошій ефективності, що дозволяє отримувати компактніші й «легші» рішення за ту саму вихідну потужність.

Як інженерний орієнтир для модулів такого класу (100 Вт GaN) типовими є: великий коефіцієнт підсилення порядку 45–50 dB та невеликий необхідний рівень розкачки (кілька dBm), живлення класу 24–32 В (номінально 28 В), струм на потужності — двозначний діапазон ампер, та вимога жорсткого теплового контакту з радіатором/плитою; ці діапазони підтверджуються даними комерційних модулів 100 Вт та GaN‑підсилювальних «паліт» (pallet modules). 

Нижче наведено типову архітектуру 100‑ватного широкосмугового GaN‑PA, узгоджену зі спостережуваною компоновкою (розділення відсіків, силова частина/керування окремо від RF‑виходу).

•   A[RF IN 50Ω] --> B[Вхідне узгодження / обмеження рівня]
•   B --> C[Попередній підсилювач / драйвер]
•   C --> D[Міжкаскадне узгодження]
•   D --> E[Фінальний каскад на GaN (100 Вт клас)]
•   E --> F[Вихідне узгодження + ФНЧ/фільтрація]
•   F --> G[Напрямний відгалужувач / детектор прямої/відбитої потужності]
•   G --> H[RF OUT 50Ω (N-Type)]

🟢PA-модуль 400–700 МГц 100 Вт на GaN транзисторах — це високоефективний RF підсилювач потужності з імпедансом 50 Ом та роз'ємом N-Type. Працює від джерела живлення DC 28 В, має захист від перегріву та компактні розміри 30×80×157 мм. Підходить для інтеграції у спеціалізовані радіочастотні системи UHF діапазону.

Який тип роз’єму використовується?
N-Type female (50 Ом).

Яке живлення необхідне?
DC 28 В постійного струму.

Чим GaN відрізняється від LDMOS?
GaN забезпечує вищу ефективність та кращу теплову стабільність при високих потужностях.

Чи є захист від перегріву?
Так, передбачений вбудований тепловий захист.