Модуль перешкод 720–850 MHz, 30W, GaN, SMA

Модуль призначений для створення радіочастотних перешкод у діапазоні 720–850 MHz. Побудований на основі GaN-транзисторів (галій-нітрид), пристрій забезпечує вихідну потужність до 44 dBm (≈30 Вт). Оснащений стандартним SMA-роз'ємом, що дає змогу інтегрувати його у різні інженерні системи.

Технічні характеристики:

• Частотний діапазон: 720–850 MHz

• Вихідна потужність: 44 dBm (≈30 Вт)

• Технологія підсилення: GaN (галій-нітрид)

• Тип роз'єму: SMA

• КСХ (VSWR): ≤1.5

• Пульсація по смузі: ≤2.0 дБ

• Живлення: 28 В постійного струму

• Споживаний струм: до 3.0 А

• Робоча температура: –20°C … +55°C