Автоматична ідентифікація радіоелектронний компонентів (резистор, конденсатор, котушка індуктивності, діод, подвійний діод, біполярний NPN, PNP транзистор, N-канальний і Р-канальний MOS FET, JFET транзистор, малопотужний тирис, симістор.

Вимірювання опору, ємності, індуктивності, прямої напруги переходу в діодах і біполярних транзисторів, ємності та порокової напруги затвора в польових транзисторів, виявлення захисних діодів у транзисторів.

Постачається без корпусу (КІТ).

Питание 9V от батареї типу "Крона" (не входить до комплекту постачання).

Розряджайте конденсатори до тестування!

Технічні характеристики тестера напівпровідників і вимірювача RLC, ESR.

Вимірювач індуктивності

1. Тест напівпровідників, конденсаторів, резисторів, індуктивностей проводиться за одну операцію — натисканням кнопки. Автоматичне вимкнення після тесту.

2. Споживаний струм після вимкнення не більш ніж 20nA.

3. Діапазон вимірювання резисторів становить від 0,1 Ом до 50M Ом з точністю 1%.

4. Діапазон вимірювання ємності становить від 25рF до 100mF і точністю 1%.

5. Діапазон вимірювання індуктивності становить від 0,01mН до 20H і точністю 1%.

Тестер транзисторів

6. Автоматичне визначення NPN, PNP білосніжних транзисторів, N-канальних і Р-канальних MOS FET, JFET транзисторів, діодів, подвійних діодів, тиристорів невеликої потужності, односпрямованих і двоспрямованих тирсаторів.

7. Автоматичне визначення цоколювання напівпровідників.

8. Вимірювання в біполярних транзисторів коефіцієнта посилення та порокової напруги база — іміттер.

9. Виявлення захисних діодів у біполярних і MOS FET транзисторів.

Мультитестер напівпровідників

10. Ідентифікація транзисторів Дарлінгтону.

11. Вимірювання порогової напруги та ємності затвора в MOS FET транзисторів.

12. Вимірювання ESR конденсатора з роздільною здатністю 0,01 Ом.

ESR вимірювач

13. Вимірювання подвійних резисторів (потенціометрів) з показом на дисплеї символів резистора.

14. Відтворення символів подвійних діодів із вимірюванням прямої напруги кожного переходу.

15. Визначення комбінованих світлодіодів.

16. Визначення напруги пробою в стабілізронах із напругою не більш ніж 4.5V.