•
•
•
•
•
•
C3M0120090D МОП-транзистор G3 SiC МОП-транзистор 900V, 120mOhm
Характеристики и описание
Пользовательские характеристики
| Pd - Рассеиваемая мощность | 97W (Tc) |
| Ёмкость затвора | 414 pF @ 600 V |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | 15V |
| Заряд затвора | 17.3 nC @ 15 V |
| Макс. рабочая температура, С | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | +18V -8V |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 900 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25С, макс А | 23 |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | THT |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.5V @ 3mA |
| Сопротивление канала в открытом состоянии | 155mOhm @ 15A 15V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпуса | TO-247 |
C3M0120090D Транзистор полевой MOSFET
МОП-транзистор G3 SiC МОП-транзистор 900V, 120mOhm
C3M0120090D МОП-транзистор G3 SiC МОП-транзистор 900V, 120mOhm
В наличии
1 474 ₴
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупцяДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат